Фильтры
Фильтры
Мемориальные микросхемы
| Изображение | часть # | Описание | производитель | Запас | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
MTFC64GAPALBH-AAT |
IC FLASH 512G MMC
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MTFC8GAMALNA-AAT |
IC FLASH 64G MMC
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
МТ2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3 |
IC DRAM 4G PARALLEL 1067MHZ
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT35XU512ABA1G12-0AUT |
Серия NOR 512M MT35X 45NM IT
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT25QL01GBBB1EW9-0SIT |
IC FLASH 1G SPI 133MHZ 8WPDFN
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT25QL512ABB8E12-0AAT |
IC FLASH 512M SPI 24TPBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT25QU01GBBB8ESF-0AAT |
IC FLASH 1G SPI 133MHZ 16SOP2
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT25QU512ABB8ESF-0AAT |
IC FLASH 512M SPI 133MHZ 16SOP2
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT29F16G08ABABAWP-AIT:B |
IC FLASH 16G ПАРАЛЕЛЬНЫЙ TSOP
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT29F2G01ABAGDWB-IT: G |
IC FLASH 2G SPI UPDFN
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
МТ2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3 |
IC RAM 8G PARALLEL 1,5 ГГц ФБГА
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MTFC16GAPALNA-AAT |
EMMC 128G MMC5.1 J56X AAT
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MTFC64GAPALNA-AAT |
EMMC 512G MMC5.1 J58X AAT
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT29F8G08ABABAWP-AITX:B |
IC FLASH 8G ПАРАЛЕЛЬНЫЙ ТСОП
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
МТ4О1Г16ВБУ-083Е:Б |
IC DRAM 16G ПАРАЛЕЛЬНО 1,2 ГГц
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
МТ4О1МТ4О1МТ4О1МТ4О1МТ4О1 |
IC DRAM 8G PARALLEL 1,33 ГГц
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
МТ4ОМТ4ОМТ4ОМТ4ОМТ4ОМТ4 |
IC DRAM 8G PARALLEL 1,33 ГГц
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT25QU256ABA1EW7-0SIT |
IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WPDFN
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT35XU512ABA1G12-0AAT |
Сериал NOR SLC 64MX8 TBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MTA36ASF4G72PZ-2G9E2 |
IC DRAM 288G PARALLEL 1467MHZ
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MTFC16GAPALBH-AAT |
IC FLASH 128G MMC
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
МТ2МТ2МТ2МТ2МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3М |
IC FLASH 512M SPI 24TPBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MTFC32GAPALBH-AIT |
IC FLASH 256G MMC
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MTFC64GAJAECE-AAT |
IC FLASH 512G MMC
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MTFC64GAPALBH-AIT |
IC FLASH 512G MMC
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT25QU02GCBB8E12-0SIT |
IC FLASH 2G SPI 133MHZ 24TPBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
N25Q032A13ESE40F |
IC FLASH 32M SPI 108MHZ 8SOP2
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT25TL01GBBB8ESF-0AAT |
IC FLASH 1G SPI 133MHZ 16SOP2
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
W25Q32BVSSJG |
IC Флэш-память 32 МБ
|
Уинбонд Электроника
|
|
|
|
|
|
MT25QL128ABB8E12-0AUT |
IC FLASH 128M SPI 24TPBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
K9F5608U0D-PCB0 |
32M x 8 Битовая NAND Флэш-память
|
Полупроводники Samsung
|
|
|
|
|
|
K4A8G085WB-BCPB |
8 Гб B-die DDR4 SDRAM
|
Полупроводники Samsung
|
|
|
|
|
|
K4A8G165WC-BCTD |
8 Гб B-die DDR4 SDRAM x16
|
Полупроводники Samsung
|
|
|
|
|
|
K4B4G0846Q-HYK0 |
Спецификация DDP 4Gb B-die DDR3 SDRAM
|
Полупроводники Samsung
|
|
|
|
|
|
K4T1G164QE-HCE7 |
1 Гб E-die DDR2 SDRAM 60FBGA/84FBGA без свинца и галогена (соответствует требованиям RoHS)
|
Полупроводники Samsung
|
|
|
|
|
|
K9GAG08U0E-SCB0 |
16 ГБ E-Die NAND Flash
|
Полупроводники Samsung
|
|
|
|
|
|
K4G20325FD-FC03 |
Графическая память
|
Полупроводники Samsung
|
|
|
|
|
|
K4G41325FE-HC28 |
Графическая память
|
Полупроводники Samsung
|
|
|
|
|
|
K4E6E304EE-EGCF |
Карта памяти
|
Полупроводники Samsung
|
|
|
|
|
|
MT25QL01GBBB8E12-0SIT |
IC FLASH 1G SPI 133MHZ 24TPBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT25QL128ABA1ESE-MSIT |
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8SOP2
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
K4B1G1646G-BCH9 |
Спецификация SDRAM D-die DDR3 1Gb
|
Полупроводники Samsung
|
|
|
|
|
|
K4G80325FB-HC25 |
Графическая память
|
Полупроводники Samsung
|
|
|
|
|
|
M29DW128G70NF6E |
NOR Flash Параллельный 128 Мбит 16 56/56
|
STMикроэлектроника
|
|
|
|
|
|
AT25SF041-SSHD-T |
IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC
|
Технологии Adesto
|
|
|
|
|
|
MX25L12835FMI-10G |
IC FLASH 128M SPI 104MHZ 16SOP
|
MXIC, Macronix
|
|
|
|
|
|
MX25R2035FZUIL0 |
IC FLASH 2M SPI 33MHZ 8USON
|
MXIC, Macronix
|
|
|
|
|
|
MX30LF2G18AC-TI |
IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP
|
MXIC, Macronix
|
|
|
|
|
|
M24C64-RMN6TP |
IC EEPROM 64K I2C 1MHZ 8SO
|
STMикроэлектроника
|
|
|
|
|
|
MX30LF1G18AC-TI |
IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP
|
MXIC, Macronix
|
|
|