Фильтры
Фильтры
Мемориальные микросхемы
| Изображение | часть # | Описание | производитель | Запас | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
MT29F4G16ABADAH4-AIT:D |
NAND Flash SLC 4G 256MX16 FBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
M29W320DB70N6E |
IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP (включительно)
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT48LC16M8A2P-75:G |
IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT25QU512ABB8ESF-0SIT |
IC FLASH 512M SPI 133MHZ 16SOIC
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MTFC16GAKAEDQ-AIT |
IC FLASH 128G MMC
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MTFC16GAKAEJP-AIT |
IC FLASH 128G MMC
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
МТ2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3 |
IC RAM 8G PARALLEL 1,75 ГГц
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MTFC128ГАПАЛНС-ААТ |
IC FLASH 1T MMC
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
PC28F640P30T85A |
IC FLASH 64M PARALLEL 64EASYBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MTFC32ГАПАЛНА-АИТ |
IC FLASH 256G MMC
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MTFC8GAMALBH-AIT |
IC FLASH 64G MMC
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
M29W640FB70N6E |
IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP (включает в себя все необходимые элементы)
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
M29W800DB70N6E |
IC FLASH 8M PARALLEL 48TSOP
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
IC EEPROM 512K PARALLEL 28DIP
|
Уинбонд Электроника
|
|
|
|
|
|
W25X40VSSIG |
IC FLASH 4M SPI 75MHZ 8SOIC
|
Уинбонд Электроника
|
|
|
|
|
|
W25X32VSSIG |
IC FLASH 32M SPI 75MHZ 8SOIC
|
Уинбонд Электроника
|
|
|
|
|
|
MT25QU128ABB8ESF-0AUT |
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 16SOP2
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
M28W320FCB70N6E |
IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP (включительно)
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MTFC128GAPALNA-AAT |
EMMC 1024G MMC5.1 J59X AAT
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT25QU128ABA8E12-0SIT |
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 24TBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT25QL256ABA1EW7-0SIT |
IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WPDFN
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT25QL256ABA8ESF-0AAT |
IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOP2
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT29F4G08ABADAWP: D |
IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT29F32G08CBADBWPR: D |
IC FLASH 32G PARALLEL 48TSOP
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
МТ2МТ2МТ2МТ2МТ2МТ2МТ2МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3 |
IC FLASH 1G SPI 166MHZ 16SOP2
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
W25X20ВСНИГ |
IC FLASH 2M SPI 75MHZ 8SOIC
|
Уинбонд Электроника
|
|
|
|
|
|
PC28F128J3D75A |
IC FLASH 128M PARALLEL 64EASYBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
МТ4С16М36СЖ-25Е:Б |
IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
M29W128GH70N6E |
IC FLASH 128M ПАРАЛЕЛЬ 56TSOP
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
W25X16VSSIG |
IC FLASH 16M SPI 75MHZ 8SOIC
|
Уинбонд Электроника
|
|
|
|
|
|
W25Q80JVSNIQ |
IC FLASH 8M SPI 133MHZ 8SOIC
|
Уинбонд Электроника
|
|
|
|
|
|
N25Q032A13ESC40F |
IC FLASH 32M SPI 108MHZ 8SOP2
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
RC28F128J3C150 |
IC FLASH 128M PARALLEL 64EASYBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
M28W160CT70N6E |
IC FLASH 16M PARALLEL 48TSOP (включает в себя все необходимые элементы)
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
С29ГЛ256Н11ТФИ010 |
3.0 Флэш-память в режиме страницы только на вольт с технологией процесса MirrorBitTM 110 нм
|
Спансия / Кипр
|
|
|
|
|
|
K9F4G08U0B-PCB0 |
512M x 8 бит / 1G x 8 бит NAND Флэш-память
|
Полупроводники Samsung
|
|
|
|
|
|
W25X16AVSSIG |
IC FLASH 16M SPI 75MHZ 8SOIC
|
Уинбонд Электроника
|
|
|
|
|
|
W25X64VSFIG |
IC FLASH 64M SPI 75MHZ 16SOIC
|
Уинбонд Электроника
|
|
|
|
|
|
K4S641632K-UC60 |
64 Мб SDRAM
|
Полупроводники Samsung
|
|
|
|
|
|
K9F2G08U0D-SCB0 |
256M x 8 битная флеш-память NAND
|
Полупроводники Samsung
|
|
|
|
|
|
K9K8G08U0A-PIB0 |
1G x 8 Битов / 2G x 8 Битов NAND Флэш-память
|
Полупроводники Samsung
|
|
|
|
|
|
S29JL032H70TFI010 |
32M BIT CMOS 3,0V ФЛАСШ-память
|
Спансия / Кипр
|
|
|
|
|
|
KLUEG8U1EM-B0B1 |
Карта памяти
|
Полупроводники Samsung
|
|
|
|
|
|
PC28F256M29EWLA |
IC FLASH 256M PARALLEL 64FBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT25QL128ABA1EW9-0SIT |
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WPDFN
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT25QU128ABA1EW9-0SIT |
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WPDFN
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT28EW01GABA1HPC-0SIT |
IC FLASH 1G PARALLEL 64LBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT28EW512ABA1HJS-0SIT |
IC FLASH 512M ПАРАЛЕЛЬ 56TSOP
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
M29W400DB55N6E |
IC FLASH 4M PARALLEL 48TSOP (включает в себя:
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT25QU256ABA1EW9-0SIT |
IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WPDFN
|
Технология микронов
|
|
|