Фильтры
Фильтры
Интегральные схемаы - ICs
| Изображение | часть # | Описание | производитель | Запас | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
MT25QU512ABB8ESF-0AAT |
IC FLASH 512M SPI 133MHZ 16SOP2
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT29F16G08ABABAWP-AIT:B |
IC FLASH 16G ПАРАЛЕЛЬНЫЙ TSOP
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT29F2G01ABAGDWB-IT: G |
IC FLASH 2G SPI UPDFN
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
МТ2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3 |
IC RAM 8G PARALLEL 1,5 ГГц ФБГА
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MTFC16GAPALNA-AAT |
EMMC 128G MMC5.1 J56X AAT
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MTFC64GAPALNA-AAT |
EMMC 512G MMC5.1 J58X AAT
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT29F8G08ABABAWP-AITX:B |
IC FLASH 8G ПАРАЛЕЛЬНЫЙ ТСОП
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
МТ4О1Г16ВБУ-083Е:Б |
IC DRAM 16G ПАРАЛЕЛЬНО 1,2 ГГц
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
МТ4О1МТ4О1МТ4О1МТ4О1МТ4О1 |
IC DRAM 8G PARALLEL 1,33 ГГц
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
МТ4ОМТ4ОМТ4ОМТ4ОМТ4ОМТ4 |
IC DRAM 8G PARALLEL 1,33 ГГц
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT25QU256ABA1EW7-0SIT |
IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WPDFN
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT35XU512ABA1G12-0AAT |
Сериал NOR SLC 64MX8 TBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
S29GL032N90FFIS42 |
Флэш-память ни
|
Кипарис полупроводник
|
|
|
|
|
|
MTA36ASF4G72PZ-2G9E2 |
IC DRAM 288G PARALLEL 1467MHZ
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
TC58NVG2S3ETA00 |
Флэш-память 4 ГБ, 3,3 В SLC NAND, последовательная EEPROM
|
Тошиба
|
|
|
|
|
|
MTFC16GAPALBH-AAT |
IC FLASH 128G MMC
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
ТХГБМДГ5Д1ЛБАИЛ |
Флэш-память 4GB NAND EEPROM
|
Тошиба
|
|
|
|
|
|
THGBMHG8C2LBAIL |
Флэш-память 32 ГБ NAND EEPROM w/CQ
|
Тошиба
|
|
|
|
|
|
МТ2МТ2МТ2МТ2МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3М |
IC FLASH 512M SPI 24TPBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
TC58NVG1S3ETAI0 |
Флэш-память 1 Гб 3.3 Вт SLC NAND Flash Serial EEPROM
|
Тошиба
|
|
|
|
|
|
MTFC32GAPALBH-AIT |
IC FLASH 256G MMC
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MTFC64GAJAECE-AAT |
IC FLASH 512G MMC
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MTFC64GAPALBH-AIT |
IC FLASH 512G MMC
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT25QU02GCBB8E12-0SIT |
IC FLASH 2G SPI 133MHZ 24TPBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
IS25LQ040B-JNLE-TR |
Флэш-память 4Mb QSPI, SOP 150Mil 8 штырей, RoHS, ET, T&R
|
ИССИ
|
|
|
|
|
|
N25Q032A13ESE40F |
IC FLASH 32M SPI 108MHZ 8SOP2
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
S34ML02G104TFI010 |
Флэш-память 2G 3V 25ns NAND Flash
|
Кипарис полупроводник
|
|
|
|
|
|
MT25TL01GBBB8ESF-0AAT |
IC FLASH 1G SPI 133MHZ 16SOP2
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
S34ML01G100TFI000 |
Вспышка флэш-памяти 1Gb 3V 25ns NAND
|
Спансия / Кипр
|
|
|
|
|
|
S34ML04G200TFI000 |
Флэш-память 4G, 3V, вспышка 25ns NAND
|
Кипарис полупроводник
|
|
|
|
|
|
IS25LQ040B-JBLE-TR |
Флэш-память 4Mb QSPI, SOP 208Mil 8 штырей, RoHS, ET, T&R
|
ИССИ
|
|
|
|
|
|
S25FL164K0XMFI013 |
Флэш-память 64M, 3.0V, 108Mhz серийное НИ внезапное
|
Кипарис полупроводник
|
|
|
|
|
|
IS25LQ512B-JNLE |
Флэш-память 512Kb QSPI, 8-контактный SOP 150Mil, RoHS, ET
|
ИССИ
|
|
|
|
|
|
IS25LQ040B-JNLE |
Флэш-память 4 МБ QSPI, 8-контактный SOP 150Mil, RoHS, ET
|
ИССИ
|
|
|
|
|
|
W25Q32BVSSJG |
IC Флэш-память 32 МБ
|
Уинбонд Электроника
|
|
|
|
|
|
MT25QL128ABB8E12-0AUT |
IC FLASH 128M SPI 24TPBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
S29PL032J70BFI120 |
Параллель флэш-памяти 32Mb 3V 70ns НИ внезапное
|
Кипарис полупроводник
|
|
|
|
|
|
S34ML01G100BHI000 |
Вспышка флэш-памяти 1Gb 3V 25ns NAND
|
Кипарис полупроводник
|
|
|
|
|
|
K9F5608U0D-PCB0 |
32M x 8 Битовая NAND Флэш-память
|
Полупроводники Samsung
|
|
|
|
|
|
K4A8G085WB-BCPB |
8 Гб B-die DDR4 SDRAM
|
Полупроводники Samsung
|
|
|
|
|
|
K4A8G165WC-BCTD |
8 Гб B-die DDR4 SDRAM x16
|
Полупроводники Samsung
|
|
|
|
|
|
K4B4G0846Q-HYK0 |
Спецификация DDP 4Gb B-die DDR3 SDRAM
|
Полупроводники Samsung
|
|
|
|
|
|
K4T1G164QE-HCE7 |
1 Гб E-die DDR2 SDRAM 60FBGA/84FBGA без свинца и галогена (соответствует требованиям RoHS)
|
Полупроводники Samsung
|
|
|
|
|
|
S25FL127SABBHIC00 |
Флэш-память 128 МБ 3В 108 МГц Серийная НО Флэш-память
|
Спансия / Кипр
|
|
|
|
|
|
K9GAG08U0E-SCB0 |
16 ГБ E-Die NAND Flash
|
Полупроводники Samsung
|
|
|
|
|
|
K4G20325FD-FC03 |
Графическая память
|
Полупроводники Samsung
|
|
|
|
|
|
K4G41325FE-HC28 |
Графическая память
|
Полупроводники Samsung
|
|
|
|
|
|
K4E6E304EE-EGCF |
Карта памяти
|
Полупроводники Samsung
|
|
|
|
|
|
S29WS512P0SBFW000 |
Параллель флэш-памяти 512Mb 1.8V 80Mhz НИ внезапное
|
Спансия / Кипр
|
|
|
|
|
|
S29WS256P0PBFW000 |
Флэш-память 256 МБ, 1,8 В, 66 МГц, параллельная флэш-память NOR
|
Спансия / Кипр
|
|
|