Фильтры
Фильтры
Полупроводники
| Изображение | часть # | Описание | производитель | Запас | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
MT29F1G08ABBEAH4-ITX: E |
IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
N25Q032A11ESE40G |
IC FLASH 32M SPI 108MHZ 8SO
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT29F4G08ABAEAWP-IT: E |
IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
W25Q256FVEJF |
IC ФЛАСШ-память 256 МБ
|
Уинбонд Электроника
|
|
|
|
|
|
MT41J128M16JT-107G:K |
IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT41J256M16HA-125: E |
IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT41K128M16JT-125: K |
IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ412 МТ412 МТ412 МТ412 МТ412 МТ412 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ415 МТ414 МТ414 МТ415 МТ415 МТ415 МТ415 МТ415 МТ415 МТ4 |
IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT41K512M8RH-125:E |
IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
TC58NVG0S3HTAI0 |
EEPROM 3.3V, 1 Гбит CMOS и NAND EEPROM
|
Тошиба
|
|
|
|
|
|
K4B2G1646F-BCK0 |
96FBGA без свинца и галогена
|
Полупроводники Samsung
|
|
|
|
|
|
K4H511638J-LCCC |
Спецификация 512Mb C-die DDR SDRAM
|
Полупроводники Samsung
|
|
|
|
|
|
K9F1G08U0E-SCB0 |
1 Гб E-die NAND Flash
|
Полупроводники Samsung
|
|
|
|
|
|
K4W1G1646E-HC12 |
Графическая память
|
Полупроводники Samsung
|
|
|
|
|
|
K4T1G084QF-BCF7 |
1 ГБ F-die DDR2 SDRAM
|
Полупроводники Samsung
|
|
|
|
|
|
K4B4G1646D-BCMA |
4Gb B-плашка DDR3 SDRAM Olny x16
|
Полупроводники Samsung
|
|
|
|
|
|
MT48LC16M16A2P-6A: G |
IC DRAM 256M ПАРАЛЕЛЬ 54TSOP
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT48LC8M16A2B4-6A: L |
IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT48LC8M16A2P-6A: L |
IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT41K256M16HA-125IT: E |
IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MTFC4GLGDQ-AIT |
IC FLASH 32G MMC 100LBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT29F16G08ABACAWP-ITZ:C |
IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT29F1G08ABAEAWP: E |
IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
JS28F256M29EWH |
IC FLASH 256M ПАРАЛЕЛЬ 56TSOP
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
МТ3МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4М |
IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT29F8G08ABACAWP-IT: C |
IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
M29W128GH7AN6E |
IC FLASH 128M ПАРАЛЕЛЬ 56TSOP
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT41J128M16JT-093: K |
IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
МТ4112 МТ4112 МТ4112 МТ4112 МТ4112 МТ4113 МТ4113 МТ4113 МТ4113 МТ4113 МТ4113 МТ4113 МТ4113 МТ4113 МТ4113 МТ4113 МТ4113 МТ4113 МТ4113 МТ4113 МТ4113 МТ4113 МТ4113 МТ4113 МТ4113 МТ4113 МТ4113 МТ4113 МТ4113 МТ4113 МТ4113 МТ4113 |
IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
N25Q032A13EF440E |
IC FLASH 32M SPI 108MHZ 8PDFN
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
N25Q128A13EF740E |
IC FLASH 128M SPI 108MHZ 8VDFPN
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
PC28F320J3F75A |
IC FLASH 32M PARALLEL 64EASYBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT48LC2M32B2P-6A: J |
IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT48LC32M8A2P-6A:G |
IC DRAM 256M ПАРАЛЕЛЬ 54TSOP
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT48LC4M16A2P-6A: J |
IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
W29N01GVSIAA |
IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP
|
Уинбонд Электроника
|
|
|
|
|
|
W25Q16CLSSIG |
IC FLASH 16M SPI 50MHZ 8SOIC
|
Уинбонд Электроника
|
|
|
|
|
|
W25Q32FVSSIQ |
IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC
|
Уинбонд Электроника
|
|
|
|
|
|
W25Q128FVPIQ |
IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON
|
Уинбонд Электроника
|
|
|
|
|
|
PC28F320J3F75E |
IC FLASH 32M PARALLEL 64EASYBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
M25P128-VMF6PB |
IC FLASH 128M SPI 54MHZ 16SO W
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT47H32M16NF-25E: H |
IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT29F32G08CBACAWP-Z: C |
IC FLASH 32G PARALLEL 48TSOP I
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT29F64G08CBAAAWP-Z:A |
IC FLASH 64G PARALLEL 48TSOP I
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
N25Q256A81ESF40G |
IC FLASH 256M SPI 108MHZ 16SOP2
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
EDW4032BABG-70-F-D |
IC RAM 4G PARALLEL 170FBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
W25Q128FVSIQ |
IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8SOIC
|
Уинбонд Электроника
|
|
|
|
|
|
W25Q256FVEIQ |
IC FLASH 256M SPI 104MHZ 8WSON
|
Уинбонд Электроника
|
|
|
|
|
|
W25Q16DVSSIQ |
IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC
|
Уинбонд Электроника
|
|
|
|
|
|
W25Q80BLUXIG |
IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8USON
|
Уинбонд Электроника
|
|
|