logo
Отправить сообщение
Дом > производителей >

Полупроводники Samsung

Полупроводники Samsung
Изображение часть # Описание производитель Запас RFQ
K9F4G08U0B-PCB0

K9F4G08U0B-PCB0

512M x 8 бит / 1G x 8 бит NAND Флэш-память
K4S641632K-UC60

K4S641632K-UC60

64 Мб SDRAM
K9F2G08U0D-SCB0

K9F2G08U0D-SCB0

256M x 8 битная флеш-память NAND
K9K8G08U0A-PIB0

K9K8G08U0A-PIB0

1G x 8 Битов / 2G x 8 Битов NAND Флэш-память
KLUEG8U1EM-B0B1

KLUEG8U1EM-B0B1

Карта памяти
K4B2G1646F-BCK0

K4B2G1646F-BCK0

96FBGA без свинца и галогена
K4H511638J-LCCC

K4H511638J-LCCC

Спецификация 512Mb C-die DDR SDRAM
K9F1G08U0E-SCB0

K9F1G08U0E-SCB0

1 Гб E-die NAND Flash
K4W1G1646E-HC12

K4W1G1646E-HC12

Графическая память
K4T1G084QF-BCF7

K4T1G084QF-BCF7

1 ГБ F-die DDR2 SDRAM
K4B4G1646D-BCMA

K4B4G1646D-BCMA

4Gb B-плашка DDR3 SDRAM Olny x16
K9F5608U0D-PCB0

K9F5608U0D-PCB0

32M x 8 Битовая NAND Флэш-память
K4A8G085WB-BCPB

K4A8G085WB-BCPB

8 Гб B-die DDR4 SDRAM
K4A8G165WC-BCTD

K4A8G165WC-BCTD

8 Гб B-die DDR4 SDRAM x16
K4B4G0846Q-HYK0

K4B4G0846Q-HYK0

Спецификация DDP 4Gb B-die DDR3 SDRAM
K4T1G164QE-HCE7

K4T1G164QE-HCE7

1 Гб E-die DDR2 SDRAM 60FBGA/84FBGA без свинца и галогена (соответствует требованиям RoHS)
K9GAG08U0E-SCB0

K9GAG08U0E-SCB0

16 ГБ E-Die NAND Flash
K4G20325FD-FC03

K4G20325FD-FC03

Графическая память
K4G41325FE-HC28

K4G41325FE-HC28

Графическая память
K4E6E304EE-EGCF

K4E6E304EE-EGCF

Карта памяти
K4B1G1646G-BCH9

K4B1G1646G-BCH9

Спецификация SDRAM D-die DDR3 1Gb
K4G80325FB-HC25

K4G80325FB-HC25

Графическая память
K4S561632H-UC75

K4S561632H-UC75

Руководство по продуктам SDRAM
K4S511632D-UC75

K4S511632D-UC75

DDP 512Mbit SDRAM 8M x 16bit x 4 Banks Синхронная DRAM LVTTL
K4T1G164QE-HCF8

K4T1G164QE-HCF8

1 Гб E-die DDR2 SDRAM
K9F1G08U0B-PCB0

K9F1G08U0B-PCB0

128M x 8 флэш-памятей NAND бита бита/256M x 8
K9F5608U0D-PIB0

K9F5608U0D-PIB0

32M x 8 Битовая NAND Флэш-память
K4S561632N-LC75

K4S561632N-LC75

K9F1G08U0D-SCB0

K9F1G08U0D-SCB0

128M x 8 флэш-памятей NAND бита бита/256M x 8
K9WBG08U1M-PIB0

K9WBG08U1M-PIB0

K9WAG08U1A-PIB0

K9WAG08U1A-PIB0

1G x 8 Битов / 2G x 8 Битов NAND Флэш-память
K9F2G08U0C-SIB0

K9F2G08U0C-SIB0

2 Гб C-Die NAND Flash
K9F2G08U0C-SCB0

K9F2G08U0C-SCB0

2 Гб C-Die NAND Flash
S3C4530A01-QE80

S3C4530A01-QE80

16/32-битный микроконтроллер RISC является экономически эффективным, высокопроизводительным микрокон
S3C2440AL-40

S3C2440AL-40

микропроцессор 16/32-bit RISC
K5L2731CAA-D770

K5L2731CAA-D770

K4S641632N-LC60

K4S641632N-LC60

1M x 16Bit x 4 Банки Синхронная DRAM
K4E6E304EE-EGCE

K4E6E304EE-EGCE

К4Б4Г1646Д-БМК0

К4Б4Г1646Д-БМК0

Память DDR3 SDRAM
S3C2410AL-20

S3C2410AL-20

Микропроцессор RISC
КМР310001М-Б611

КМР310001М-Б611

K4S561632E-UC75

K4S561632E-UC75

256Mb E-die SDRAM Спецификация 54 TSOP-II с Pb-Free (соответствует требованиям RoHS)
K9K8G08U0B-PCB0

K9K8G08U0B-PCB0

K4G41325FC-HC03

K4G41325FC-HC03

K4T1G164QF-BCE7

K4T1G164QF-BCE7

1 ГБ F-die DDR2 SDRAM
K4T51163QI-HCE7

K4T51163QI-HCE7

512 Мб B-die DDR2 SDRAM
K4B4G1646B-HYK0

K4B4G1646B-HYK0

K4B1G1646G-BCK0

K4B1G1646G-BCK0

Спецификация SDRAM 1Gb DDR3
K4S561632J-UC75

K4S561632J-UC75

K9F1G08U0D-SIB0

K9F1G08U0D-SIB0

вспышка 1Gb NAND
1 2