K4T51163QI-HCE7
производитель:
Полупроводники Samsung
Описание:
512 Мб B-die DDR2 SDRAM
Категория:
Полупроводники
Спецификации
Пакет:
BGA
Категория продукции:
Полупроводниковые интегральные схемы - интегральные интегралы
Производитель:
Полупроводники Samsung
Введение
K4T51163QI-HCE7, от Samsung Semiconductor, это полупроводники-интегрированные схемы - IC. то, что мы предлагаем, имеет конкурентоспособную цену на мировом рынке, которые находятся в оригинальных и новых частях.Если вы хотите узнать больше о продуктах или применить более низкую цену, пожалуйста, свяжитесь с нами через онлайн чат или отправьте нам предложение!
Related Products
K4S561632H-UC75
SDRAM Product Guide
K4S511632D-UC75
DDP 512Mbit SDRAM 8M x 16bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL
K4T1G164QE-HCF8
1Gb E-die DDR2 SDRAM
K9F1G08U0B-PCB0
128M x 8 Bit / 256M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F5608U0D-PIB0
32M x 8 Bit NAND Flash Memory
K4S561632N-LC75
K9F1G08U0D-SCB0
128M x 8 Bit / 256M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9WBG08U1M-PIB0
K9WAG08U1A-PIB0
1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F2G08U0C-SIB0
2Gb C-die NAND Flash
| Изображение | часть # | Описание | |
|---|---|---|---|
|
|
K4S561632H-UC75 |
SDRAM Product Guide
|
|
|
|
K4S511632D-UC75 |
DDP 512Mbit SDRAM 8M x 16bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL
|
|
|
|
K4T1G164QE-HCF8 |
1Gb E-die DDR2 SDRAM
|
|
|
|
K9F1G08U0B-PCB0 |
128M x 8 Bit / 256M x 8 Bit NAND Flash Memory
|
|
|
|
K9F5608U0D-PIB0 |
32M x 8 Bit NAND Flash Memory
|
|
|
|
K4S561632N-LC75 |
|
|
|
|
K9F1G08U0D-SCB0 |
128M x 8 Bit / 256M x 8 Bit NAND Flash Memory
|
|
|
|
K9WBG08U1M-PIB0 |
|
|
|
|
K9WAG08U1A-PIB0 |
1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND Flash Memory
|
|
|
|
K9F2G08U0C-SIB0 |
2Gb C-die NAND Flash
|
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: