Отправить сообщение

SIS402DN-T1-GE3

производитель:
Вишай Силиконикс
Описание:
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.2V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакет / чемодан:
PowerPAK® 1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
42 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
6mOhm @ 19A, 10В
FET Type:
N-Channel
Напряжение привода (макс. RDS включено, минимум RDS включено):
4.5В, 10В
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Напряжение отхода к источнику (Vdss):
30 В
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1700 pF @ 15 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
PowerPAK® 1212-8
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
35A (Tc)
Power Dissipation (Max):
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SIS402
Введение
N-Channel 30 V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) На поверхности установка PowerPAK® 1212-8
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: