Отправить сообщение

IRF9640PBF

производитель:
Вишай Силиконикс
Описание:
MOSFET P-CH 200V 11A TO220AB
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
44 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
500mOhm @ 6.6A, 10V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
200 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1200 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
-
Supplier Device Package:
TO-220AB
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
11A (Tc)
Power Dissipation (Max):
125W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Номер базовой продукции:
IRF9640
Введение
P-канал 200 V 11A (Tc) 125W (Tc) через отверстие TO-220AB
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: