Отправить сообщение

SQM120P10_10M1LGE3

производитель:
Вишай Силиконикс
Описание:
MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs:
190 nC @ 10 v
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
10.1mOhm @ 30A, 10V
Тип FET:
P-канал
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Пакет:
Лента и катушка (TR) Режущая лента (КТ) Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
100 V
Vgs (макс.):
± 20 В
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
9000 pF @ 25 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Supplier Device Package:
TO-263 (D²Pak)
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
120A (Tc)
Power Dissipation (Max):
375W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SQM120
Введение
P-Channel 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Поверхностная установка TO-263 (D2Pak)
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: