Отправить сообщение

SI7155DP-T1-GE3

производитель:
Вишай Силиконикс
Описание:
MOSFET P-CH 40V 31A/100A PPAK
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.3V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
PowerPAK® SO-8
Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs:
330 nC @ 10 В
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
3.6mOhm @ 20A, 10V
Тип FET:
P-канал
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Пакет:
Лента и катушка (TR) Режущая лента (КТ) Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
40 V
Vgs (макс.):
± 20 В
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
12900 pF @ 20 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
TrenchFET® Gen III
Supplier Device Package:
PowerPAK® SO-8
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
31A (Ta), 100A (Tc)
Power Dissipation (Max):
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SI7155
Введение
P-Channel 40 V 31A (Ta), 100A (Tc) 6,25W (Ta), 104W (Tc) Наземная установка PowerPAK® SO-8
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: