SARS01V1
производитель:
Санкен Электрик США Инк.
Описание:
Диод GEN PURP 800V 1.2A аксиальный
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия
Диоды
Ректификаторы
Однодиодные
Статус продукта:
Активный
Ток - обратная утечка @ Vr:
10 μA @ 800 В
Тип установки:
Через дыру
Напряжение - вперед (Vf) (макс.):
920 мВ @ 1,2 А
Пакет:
Раскроенная лента (CT)
Лента & коробка (TB)
Серия:
-
Пропускная способность @ Vr, F:
-
Пакет изделий поставщика:
аксиальный
Время обратного восстановления (trr):
18 μs
Мфр:
Sanken Электрическ США Inc.
Технологии:
Стандартный
Операционная температура - соединение:
-40°C ~ 150°C
Пакет / чемодан:
аксиальный
Напряжение - обратное постоянное (Vr) (макс.):
800 В
Текущее - среднее скорректированное (Io):
1.2А
СТРЕД:
Стандартное восстановление > 500 нс, > 200 мА (Io)
Номер базовой продукции:
SARS01
Введение
Диод 800 В 1,2 А через оси отверстия
Related Products
FMY-1106S
DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F
SJPB-H9VL
DIODE SCHOTTKY 90V 2A SJP
SJPL-H2VL
DIODE GEN PURP 200V 2A SJP
SJPB-H6VR
DIODE SCHOTTKY 60V 2A SJP
Ящур-G26S
DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F
SJPX-F2VR
DIODE GEN PURP 200V 1.5A SJP
SARS05VL
DIODE GEN PURP 800V 1A SMD
| Изображение | часть # | Описание | |
|---|---|---|---|
|
|
FMY-1106S |
DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F
|
|
|
|
SJPB-H9VL |
DIODE SCHOTTKY 90V 2A SJP
|
|
|
|
SJPL-H2VL |
DIODE GEN PURP 200V 2A SJP
|
|
|
|
SJPB-H6VR |
DIODE SCHOTTKY 60V 2A SJP
|
|
|
|
Ящур-G26S |
DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F
|
|
|
|
SJPX-F2VR |
DIODE GEN PURP 200V 1.5A SJP
|
|
|
|
SARS05VL |
DIODE GEN PURP 800V 1A SMD
|
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: