SJPX-F2VR
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия
Диоды
Ректификаторы
Однодиодные
Статус продукта:
Активный
Ток - обратная утечка @ Vr:
10 μA @ 200 В
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Напряжение - вперед (Vf) (макс.):
980 мВ @ 1,5 А
Пакет:
Лента и катушка (TR)
Режущая лента (КТ)
Digi-Reel®
Серия:
-
Пропускная способность @ Vr, F:
-
Пакет изделий поставщика:
SJP
Время обратного восстановления (trr):
30 нс
Мфр:
Sanken Электрическ США Inc.
Технологии:
Стандартный
Операционная температура - соединение:
-40°C ~ 150°C
Пакет / чемодан:
2-SMD, J-руководство
Напряжение - обратное постоянное (Vr) (макс.):
200 В
Текущее - среднее скорректированное (Io):
1.5А
СТРЕД:
Быстрое восстановление = < 500 нс, > 200 мА (Io)
Номер базовой продукции:
SJPX-F2
Введение
Диод 200 В 1,5 А поверхностная установка SJP
Related Products

FMY-1106S
DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F

SJPB-H9VL
DIODE SCHOTTKY 90V 2A SJP

SJPL-H2VL
DIODE GEN PURP 200V 2A SJP

SJPB-H6VR
DIODE SCHOTTKY 60V 2A SJP

Ящур-G26S
DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F

SARS01V1
DIODE GEN PURP 800V 1.2A AXIAL

SARS05VL
DIODE GEN PURP 800V 1A SMD
Изображение | часть # | Описание | |
---|---|---|---|
![]() |
FMY-1106S |
DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F
|
|
![]() |
SJPB-H9VL |
DIODE SCHOTTKY 90V 2A SJP
|
|
![]() |
SJPL-H2VL |
DIODE GEN PURP 200V 2A SJP
|
|
![]() |
SJPB-H6VR |
DIODE SCHOTTKY 60V 2A SJP
|
|
![]() |
Ящур-G26S |
DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F
|
|
![]() |
SARS01V1 |
DIODE GEN PURP 800V 1.2A AXIAL
|
|
![]() |
SARS05VL |
DIODE GEN PURP 800V 1A SMD
|
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: