IPG20N04S412ATMA1
Описание:
IPG20N04S412ATMA1 таблица данных pdf и Транзисторы - FETs, MOSFETs - Массивы Подробная информация о
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Номер части:
IPG20N04S412ATMA1
Производитель:
IR (Infineon Technologies)
Описание:
Есть альтернативные модели.
Жизненный цикл:
Новый от этого производителя
Лист данных:
IPG20N04S412ATMA1 Лист данных PDF
Доставка:
DHL, UPS, FedEx, зарегистрированная почта
Оплата:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Дополнительная информация:
Дополнительная информация
ECAD:
Запросить бесплатные модели CAD
Цены ((USD):
Один доллар.06
Примечание:
Производитель: IR (Infineon Technologies).
Тэнсион - один из дистрибьюторов.
Широкий спектр применен
Ширина:
6.15 мм
Длина:
5.15 мм
Опаковка:
Лента и катушка
Rds на максимуме:
12.2 мΩ
Количество штифтов:
8
Входная емкость:
1.13 nF
Время задержки включения:
9 ns
Время задержки поворота-:
10 нс
Максимальное рассеивание энергии:
41 w
Максимальная рабочая температура:
°C 175
Стеките к сопротивлению источника:
12.2 мΩ
Непрерывное течение стока (id):
20 a
Стеките к пробивному напряжению источника:
40 В
Категория продуктов:
Дискретное полупроводниковое устройство - транзисторы - FET, MOSFET - массивы
Лист данных:
IPG20N04S412ATMA1.pdf
Количество:
3623 На складе
Заявления:
Испытания и измерения
Гибридные, электрические и силовые системы
Широкополосный доступ по фиксирован
Высота:
1 mm
Время осени:
8 нс
Время восхода:
2 ns
Расписание b:
8541290080
Количество пакета:
5000
Распределение власти:
41 w
Сопротивление На-государства:
12.2 мΩ
Конфигурация элемента:
ДВОЙНО
Максимальная двойная подача напряжения:
40 В
Минимальная рабочая температура:
-55 °C
Ворота к напряжению тока источника (Vgs):
20 В
Напряжение отхода к источнику (Vdss):
40 В
Введение
IPG20N04S412ATMA1 Обзор\\\\nIPG20N04S412ATMA1 является моделью, относящейся к подкатегории транзисторов - FETs, MOSFETs - Arrays в разделе Дискретный полупроводник.,Пожалуйста, ознакомьтесь с информационным листом, например, PDF-файлы, Docx-документы и т. д. У нас есть картинки IPG20N04S412ATMA1 высокой четкости и информационные листы для справки.Мы будем продолжать создавать различные видеофайлы и 3D модели для пользователей, чтобы понять наш продукт более интуитивно и всестороннеIPG20N04S412ATMA1 широко используется в испытаниях и измерениях, гибридных, электрических и силовых системах, широкополосном доступе к фиксированной линии.Напряжение и другие дистрибьюторы. IPG20N04S412ATMA1 можно приобрести многими способами. Вы можете сделать заказ прямо на этом сайте, или вы можете позвонить или отправить нам электронную почту. В настоящее время, у нас достаточно запасов. Кроме того, у нас есть собственный запас,Мы также можем адаптировать запас к одноранговым дистрибьюторам для удовлетворения ваших потребностейЕсли поставки IPG20N04S412ATMA1 недостаточны, мы также имеем другие модели в категории дискретных полупроводниковых транзисторов - FET, MOSFET - Arrays, чтобы заменить его. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with Fans. Так что вы можете заказать IPG20N04S412ATMA1 от фанатов с уверенностью. О доставке, мы можем доставить товары нашим клиентам через различные логистические, такие как DHL, FedEx, UPS,TNT и EMS или любой другой экспедиторЕсли вы хотите узнать больше о грузоперевозке, не стесняйтесь связаться с нами для получения дополнительной информации.
Файл данных PDF
Файл данных PDF
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: