ИКСТН600Н04Т2
Описание:
Дискритетные полупроводниковые модули GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Категория:
Полупроводники
Спецификации
Категория продуктов::
Дискретные модули полупроводника
Стиль установки::
SMD/SMT
Минимальная рабочая температура::
- 55 c
Пакет / чемодан::
SOT-227B
Максимальная рабочая температура::
+ 175 c
Упаковка::
Трубка
Серия::
IXTN600N04
Тип::
TrenchT2 GigaMOS
Производитель::
ИКСИС
Введение
IXTN600N04T2, от IXYS, это дискретные полупроводниковые модули. то, что мы предлагаем, имеет конкурентоспособную цену на мировом рынке, которые находятся в оригинальных и новых частях.Если вы хотите узнать больше о продуктах или применить более низкую цену, пожалуйста, свяжитесь с нами через онлайн чат или отправьте нам предложение!
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: