СТП110Н8Ф6
Спецификации
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
150 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
6.5mOhm @ 55A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
80 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
9130 pF @ 40 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
STripFET™ F6
Supplier Device Package:
TO-220
Mfr:
STMicroelectronics
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
110A (Tc)
Диссипация силы (Макс):
200W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Номер базовой продукции:
STP110
Введение
N-канал 80 V 110A (Tc) 200W (Tc) через отверстие TO-220
СОБЩЕННЫЕ ПРОДУКТЫ

СТХ2Н120К5-2АГ
MOSFET N-CH 1200V 1.5A H2PAK-2

STWA12N120K5
MOSFET N-CH 1200V 12A TO247

STW25N80K5
MOSFET N-CH 800V 19.5A TO247

СТП20НМ60ФД
MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB

STFW3N150
MOSFET N-CH 1500V 2.5A ISOWATT

STL8N10LF3
MOSFET N CH 100V 20A PWRFLT5X6

СТД4НК60ЗТ4
MOSFET N-CH 600V 4A DPAK

STP4NK60ZFP
MOSFET N-CH 600V 4A TO220FP

STW34NM60N
MOSFET N-CH 600V 29A TO247-3

СТН2НФ10
MOSFET N-CH 100V 2.4A SOT-223
Изображение | часть # | Описание | |
---|---|---|---|
![]() |
СТХ2Н120К5-2АГ |
MOSFET N-CH 1200V 1.5A H2PAK-2
|
|
![]() |
STWA12N120K5 |
MOSFET N-CH 1200V 12A TO247
|
|
![]() |
STW25N80K5 |
MOSFET N-CH 800V 19.5A TO247
|
|
![]() |
СТП20НМ60ФД |
MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
|
|
![]() |
STFW3N150 |
MOSFET N-CH 1500V 2.5A ISOWATT
|
|
![]() |
STL8N10LF3 |
MOSFET N CH 100V 20A PWRFLT5X6
|
|
![]() |
СТД4НК60ЗТ4 |
MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
|
|
![]() |
STP4NK60ZFP |
MOSFET N-CH 600V 4A TO220FP
|
|
![]() |
STW34NM60N |
MOSFET N-CH 600V 29A TO247-3
|
|
![]() |
СТН2НФ10 |
MOSFET N-CH 100V 2.4A SOT-223
|
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: