FQP6N80C
производитель:
ОНСЕМИ
Описание:
MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220-3
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
30 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
2.5Ohm @ 2.75A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Пакет:
Трубка
Drain to Source Voltage (Vdss):
800 V
Vgs (макс.):
±30V
Product Status:
Active
Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds:
1310 pF @ 25 В
Mounting Type:
Through Hole
Серия:
QFET®
Supplier Device Package:
TO-220-3
Mfr:
onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
5.5A (Tc)
Power Dissipation (Max):
158W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
FQP6
Введение
N-Channel 800 V 5.5A (Tc) 158W (Tc) через отверстие TO-220-3
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: