FQA70N10
производитель:
ОНСЕМИ
Описание:
MOSFET N-CH 100V 70A TO3PN
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
TO-3P-3, SC-65-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
110 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
23mOhm @ 35A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Пакет:
Трубка
Drain to Source Voltage (Vdss):
100 V
Vgs (макс.):
±25V
Product Status:
Active
Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds:
3300 pF @ 25 В
Mounting Type:
Through Hole
Серия:
QFET®
Supplier Device Package:
TO-3PN
Mfr:
onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
70A (Tc)
Power Dissipation (Max):
214W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
FQA70
Введение
N-канал 100 V 70A (Tc) 214W (Tc) через отверстие TO-3PN
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: