ФДПФ12Н60НЗ
производитель:
ОНСЕМИ
Описание:
MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-220-3 Full Pack
Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs:
34 nC @ 10 v
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
650mOhm @ 6A, 10V
Тип FET:
N-канал
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Пакет:
Трубка
Drain to Source Voltage (Vdss):
600 V
Vgs (макс.):
±30V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1676 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
UniFET-II™
Supplier Device Package:
TO-220F-3
Mfr:
onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
12A (Tc)
Power Dissipation (Max):
39W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
FDPF12
Введение
N-канал 600 V 12A (Tc) 39W (Tc) через отверстие TO-220F-3
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: