БСС123LT1G
производитель:
ОНСЕМИ
Описание:
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
FET, MOSFET
Одиночные FET, MOSFET
FET Feature:
-
Статус продукта:
Активный
Mounting Type:
Surface Mount
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.6В @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
20 pF @ 25 V
Series:
-
Vgs (Max):
±20V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Supplier Device Package:
SOT-23-3 (TO-236)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
6Ohm @ 100mA, 10V
Mfr:
onsemi
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Power Dissipation (Max):
225mW (Ta)
Package / Case:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Drain to Source Voltage (Vdss):
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
170mA (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
BSS123
Введение
N-Channel 100 V 170mA (Ta) 225mW (Ta) Наземная установка SOT-23-3 (TO-236)
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: