ФДМС7698
производитель:
ОНСЕМИ
Описание:
MOSFET N-CH 30V 13.5A/22A 8PQFN
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
8-PowerTDFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
24 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
10mOhm @ 13.5A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
30 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds:
1605 pF @ 15 В
Mounting Type:
Surface Mount
Серия:
PowerTrench®
Supplier Device Package:
8-PQFN (5x6)
Мфр:
ОНСЕМИ
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
13.5A (Ta), 22A (Tc)
Диссипация силы (Макс):
2.5 Вт (Ta), 29 Вт (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
FDMS76
Введение
N-Channel 30 V 13.5A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 29W (Tc) Поверхностная установка 8-PQFN (5x6)
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: