Отправить сообщение

ДМН2009LSS-13

производитель:
Диоды встроенные
Описание:
MOSFET N-CH 20V 12A 8SOP
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.2V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs:
58.3 nC @ 10 В
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
8mOhm @ 12A, 10V
Тип FET:
N-канал
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
2.5V, 10V
Пакет:
Лента и катушка (TR) Режущая лента (КТ) Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
20 V
Vgs (макс.):
±12В
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
2555 pF @ 10 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
-
Supplier Device Package:
8-SO
Mfr:
Diodes Incorporated
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
12A (Ta)
Power Dissipation (Max):
2W (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
DMN2009
Введение
N-канал 20 V 12A (Ta) 2W (Ta) поверхностная установка 8-SO
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: