FDC645N
производитель:
ОНСЕМИ
Описание:
MOSFET N-CH 30V 5.5A SUPERSOT6
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
FET, MOSFET
Одиночные FET, MOSFET
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2В @ 250μA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
21 nC @ 4.5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
26mOhm @ 6.2A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
30 V
Vgs (Max):
±12V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1460 pF @ 15 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
PowerTrench®
Supplier Device Package:
SuperSOT™-6
Mfr:
onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
5.5A (Ta)
Power Dissipation (Max):
1.6W (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
FDC645
Введение
N-Channel 30 V 5.5A (Ta) 1.6W (Ta) Поверхностная установка SuperSOTTM-6
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: