ИС61К6416АЛ-12ТЛИ
Спецификации
Категория:
Интегрированные схемы (IC)
Память
Память
Product Status:
Active
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Package:
Tray
Серия:
-
DigiKey Programmable:
Not Verified
Memory Interface:
Parallel
Write Cycle Time - Word, Page:
12ns
Supplier Device Package:
44-TSOP II
Memory Type:
Volatile
Mfr:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Memory Size:
1Mbit
Voltage - Supply:
4.5V ~ 5.5V
Access Time:
12 ns
Package / Case:
44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Memory Organization:
64K x 16
Operating Temperature:
-40°C ~ 85°C (TA)
Technology:
SRAM - Asynchronous
Base Product Number:
IS61C6416
Memory Format:
SRAM
Введение
SRAM - Асинхронная память IC 1Mbit Parallel 12 ns 44-TSOP II
Related Products

ИС61НЛП102436Б-200Б3ЛИ
IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165TFBGA

ИС45С16320Ф-6ТЛА1
IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II

ИС42С86400Д-7ТЛ
IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II

IS61WV102416EDBLL-10T2LI
IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I

ИС46ДР16640Б-25ДБЛА2
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA

IS46QR16256B-083RBLA2
IC DDR4 256 MB 96-FBGA

ИС61ВВ102416ФБЛЛ-10ТЛИ
IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I

ИС46ТР16256БЛ-125КБЛА2
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA

ИС64ВВ102416БЛЛ-10МЛА3
IC SRAM 16MBIT PAR 48MINIBGA

IS61WV51216EDBLL-10TLI-TR
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
Изображение | часть # | Описание | |
---|---|---|---|
![]() |
ИС61НЛП102436Б-200Б3ЛИ |
IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165TFBGA
|
|
![]() |
ИС45С16320Ф-6ТЛА1 |
IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
|
|
![]() |
ИС42С86400Д-7ТЛ |
IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
|
|
![]() |
IS61WV102416EDBLL-10T2LI |
IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I
|
|
![]() |
ИС46ДР16640Б-25ДБЛА2 |
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
|
|
![]() |
IS46QR16256B-083RBLA2 |
IC DDR4 256 MB 96-FBGA
|
|
![]() |
ИС61ВВ102416ФБЛЛ-10ТЛИ |
IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I
|
|
![]() |
ИС46ТР16256БЛ-125КБЛА2 |
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA
|
|
![]() |
ИС64ВВ102416БЛЛ-10МЛА3 |
IC SRAM 16MBIT PAR 48MINIBGA
|
|
![]() |
IS61WV51216EDBLL-10TLI-TR |
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
|
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: