IXXN110N65C4H1
производитель:
ИКСИС
Описание:
IGBT MOD 650V 210A 750W SOT227B
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
IGBTs
IGBT Modules
Current - Collector (Ic) (Max):
210 A
Product Status:
Active
Mounting Type:
Chassis Mount
Package:
Tube
Series:
XPT™, GenX4™
Package / Case:
SOT-227-4, miniBLOC
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:
2.35V @ 15V, 110A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):
650 V
Supplier Device Package:
SOT-227B
Mfr:
IXYS
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max):
50 µA
IGBT Type:
PT
Power - Max:
750 W
Input:
Standard
Вводная емкость (Cies) @ Vce:
3.69 nF @ 25 В
Configuration:
Single
Термистор NTC:
Нет
Base Product Number:
IXXN110
Введение
Модуль IGBT PT Single 650 V 210 A 750 W Подвеска на шасси SOT-227B
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: