Отправить сообщение

ФКПФ380Н60Е

производитель:
ОНСЕМИ
Описание:
MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
3.5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-220-3 Full Pack
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
45 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
380mOhm @ 5A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
600 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Not For New Designs
Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds:
1770 pF @ 25 В
Mounting Type:
Through Hole
Серия:
SuperFET® II
Supplier Device Package:
TO-220F-3
Мфр:
ОНСЕМИ
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
10.2A (Tc)
Диссипация силы (Макс):
31W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
FCPF380
Введение
N-Channel 600 V 10.2A (Tc) 31W (Tc) через отверстие TO-220F-3
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: