Отправить сообщение

STGW30NC120HD

производитель:
STMикроэлектроника
Описание:
IGBT Транзисторы N-CHANNEL IGBT
Категория:
Полупроводники
Спецификации
течение утечки Ворот-излучателя:
+/- 100 nA
Категория продукции:
IGBT-транзисторы
Стил монтажа:
Через дыру
Pd - рассеивание энергии:
220 w
Напряжение тока коллектор- эмиттера VCEO Макс:
1200 В
Пакет / чемодан:
ТО-247-3
Максимальная рабочая температура:
+ 150 C
Максимальное напряжение тока излучателя ворот:
+/- 25 В
упаковка:
Трубка
Конфигурация:
Одинокий
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера:
2,75 v
Производитель:
STMикроэлектроника
Введение
STGW30NC120HD, от STMicroelectronics, это IGBT транзисторы. то, что мы предлагаем, имеет конкурентоспособную цену на мировом рынке, которые находятся в оригинальных и новых частях.Если вы хотите узнать больше о продуктах или применить более низкую цену, пожалуйста, свяжитесь с нами через онлайн чат или отправьте нам предложение!
СОБЩЕННЫЕ ПРОДУКТЫ
Изображение часть # Описание
STGWA60H65DFB

STGWA60H65DFB

IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar
STGW45HF60WD

STGW45HF60WD

IGBT Transistors 45A 600V Ultra Fast IGBT
СТГВ40Х120Ф2

СТГВ40Х120Ф2

Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: