STGW30NC120HD
Спецификации
течение утечки Ворот-излучателя:
+/- 100 nA
Категория продукции:
IGBT-транзисторы
Стил монтажа:
Через дыру
Pd - рассеивание энергии:
220 w
Напряжение тока коллектор- эмиттера VCEO Макс:
1200 В
Пакет / чемодан:
ТО-247-3
Максимальная рабочая температура:
+ 150 C
Максимальное напряжение тока излучателя ворот:
+/- 25 В
упаковка:
Трубка
Конфигурация:
Одинокий
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера:
2,75 v
Производитель:
STMикроэлектроника
Введение
STGW30NC120HD, от STMicroelectronics, это IGBT транзисторы. то, что мы предлагаем, имеет конкурентоспособную цену на мировом рынке, которые находятся в оригинальных и новых частях.Если вы хотите узнать больше о продуктах или применить более низкую цену, пожалуйста, свяжитесь с нами через онлайн чат или отправьте нам предложение!
СОБЩЕННЫЕ ПРОДУКТЫ

STGWA60H65DFB
IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar

STGW45HF60WD
IGBT Transistors 45A 600V Ultra Fast IGBT

СТГВ40Х120Ф2
Изображение | часть # | Описание | |
---|---|---|---|
![]() |
STGWA60H65DFB |
IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar
|
|
![]() |
STGW45HF60WD |
IGBT Transistors 45A 600V Ultra Fast IGBT
|
|
![]() |
СТГВ40Х120Ф2 |
|
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: