NGTB40N120FL2WG
производитель:
ОНСЕМИ
Описание:
IGBT транзисторы 1200V/40A FAST IGBT FSII
Категория:
Полупроводники
Спецификации
течение утечки Ворот-излучателя:
nA 200
Категория продукции:
IGBT-транзисторы
Стил монтажа:
Через дыру
Непрерывное течение сборника на 25 c:
80 А
Pd - рассеивание энергии:
535 Вт
Напряжение тока коллектор- эмиттера VCEO Макс:
1200 В
Пакет / чемодан:
TO-247
Максимальная рабочая температура:
+ 175 c
Максимальное напряжение тока излучателя ворот:
30 В
упаковка:
Трубка
Конфигурация:
Одинокий
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера:
2 v
Производитель:
на полу
Введение
NGTB40N120FL2WG, от onsemi, это IGBT транзисторы. то, что мы предлагаем, имеет конкурентоспособную цену на мировом рынке, которые находятся в оригинальных и новых частях.Если вы хотите узнать больше о продуктах или применить более низкую цену, пожалуйста, свяжитесь с нами через онлайн чат или отправьте нам предложение!
СОБЩЕННЫЕ ПРОДУКТЫ
| Изображение | часть # | Описание | |
|---|---|---|---|
|
|
FGA25N120ANTD |
|
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: