BC857BV
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
Биполярный (BJT)
Биполярные транзисторные массивы
Ток - коллектор (Ic) (макс.):
100 мА
Статус продукта:
Активный
Тип транзистора:
2 ПНП (двойной)
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Частота - переходный период:
100 МГц
Пакет:
Лента и катушка (TR)
Серия:
-
Vce Насыщение (макс.) @ Ib, Ic:
400 мВ @ 5 мА, 100 мА
Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.):
45 В
Пакет изделий поставщика:
SOT-563
Мфр:
Технология Yangjie
Ток - предел коллектора (макс.):
15nA (ICBO)
Мощность - Макс:
150 мВт
Пакет / чемодан:
SOT-563, SOT-666
Операционная температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Увеличение тока постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce:
200 @ 2mA, 5В
Номер базовой продукции:
BC857
Введение
Биполярный (BJT) транзисторный массив 2 PNP (двойной) 45V 100mA 100MHz 150mW Поверхностный монтаж SOT-563
Related Products

BC856BS
SOT-363 PNP+PNP 0.2W -0.1A -80V

BC846BS
SOT-363 NPN+NPN 0.3W 0.1A 80V Tr

BC847BS
SOT-363 NPN+NPN 0.3W 0.1A 50V Tr

UMZ1N
SOT-363 NPN+PNP 0.2W 0.15A 60 -6
Изображение | часть # | Описание | |
---|---|---|---|
![]() |
BC856BS |
SOT-363 PNP+PNP 0.2W -0.1A -80V
|
|
![]() |
BC846BS |
SOT-363 NPN+NPN 0.3W 0.1A 80V Tr
|
|
![]() |
BC847BS |
SOT-363 NPN+NPN 0.3W 0.1A 50V Tr
|
|
![]() |
UMZ1N |
SOT-363 NPN+PNP 0.2W 0.15A 60 -6
|
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: