ФС600Р07А2Е3
производитель:
Инфинеон Технологии
Категория:
Полупроводники
Спецификации
течение утечки Ворот-излучателя:
nA 400
Категория продукции:
Модули IGBT
Непрерывное течение сборника на 25 c:
530 a
Pd - рассеивание энергии:
W 1250
Напряжение тока коллектор- эмиттера VCEO Макс:
650 v
Пакет / чемодан:
Гибридная упаковка2
Максимальная рабочая температура:
+ 150 C
Конфигурация:
3-фазный
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера:
1,4 v
Продукт:
Модули кремния IGBT
Производитель:
Infineon Technologies
Введение
FS600R07A2E3, от Infineon Technologies, это модули IGBT. то, что мы предлагаем, имеет конкурентоспособную цену на мировом рынке, которые находятся в оригинальных и новых частях.Если вы хотите узнать больше о продуктах или применить более низкую цену, пожалуйста, свяжитесь с нами через онлайн чат или отправьте нам предложение!
СОБЩЕННЫЕ ПРОДУКТЫ
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: