IKW25N120H3
производитель:
Инфинеон Технологии
Категория:
Полупроводники
Спецификации
течение утечки Ворот-излучателя:
nA 600
Категория продукции:
IGBT-транзисторы
Стил монтажа:
Через дыру
Непрерывное течение сборника на 25 c:
50 А
Pd - рассеивание энергии:
326 Вт
Напряжение тока коллектор- эмиттера VCEO Макс:
1200 В
Пакет / чемодан:
ТО-247-3
Максимальная рабочая температура:
+ 175 c
Максимальное напряжение тока излучателя ворот:
20 В
упаковка:
Трубка
Конфигурация:
Одинокий
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера:
2,7 v
Производитель:
Infineon Technologies
Введение
IKW25N120H3, от Infineon Technologies, это IGBT транзисторы. То, что мы предлагаем, имеет конкурентоспособную цену на мировом рынке, которые находятся в оригинальных и новых частях.Если вы хотите узнать больше о продуктах или применить более низкую цену, пожалуйста, свяжитесь с нами через онлайн чат или отправьте нам предложение!
СОБЩЕННЫЕ ПРОДУКТЫ
IKW20N60T
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 20A
ИКА15Н60Т
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 15A
IHW30N160R2
IGBT Transistors RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A
AUIRG4PH50S
| Изображение | часть # | Описание | |
|---|---|---|---|
|
|
IKW20N60T |
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 20A
|
|
|
|
ИКА15Н60Т |
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 15A
|
|
|
|
IHW30N160R2 |
IGBT Transistors RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A
|
|
|
|
AUIRG4PH50S |
|
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: