NJVMJD31CT4G
производитель:
ОНСЕМИ
Категория:
Полупроводники
Спецификации
Полярность транзистора:
НПН
Категория продукции:
Двухполярные транзисторы - BJT
Стил монтажа:
Через дыру
Напряжение тока коллектор- эмиттера VCEO Макс:
100 В
Пакет / чемодан:
DPAK-3
Максимальная рабочая температура:
+ 150 C
Серия:
MJD31
Напряжение тока VEBO излучателя низкопробное:
5 В
Производитель:
на полу
Введение
NJVMJD31CT4G, от onsemi, это биполярные транзисторы - BJT. то, что мы предлагаем, имеет конкурентоспособную цену на мировом рынке, которые находятся в оригинальных и новых частях.Если вы хотите узнать больше о продуктах или применить более низкую цену, пожалуйста, свяжитесь с нами через онлайн чат или отправьте нам предложение!
Related Products
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: