ПУМД3,115
производитель:
Нексперия США Инк.
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
Биполярный (BJT)
Биполярные транзисторные массивы,
Ток - коллектор (Ic) (макс.):
100 мА
Статус продукта:
Активный
Тип транзистора:
1 НПН, 1 ПНП - предвзятое (двойное)
Частота - переходный период:
-
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Пакет:
Лента и катушка (TR)
Режущая лента (КТ)
Digi-Reel®
Серия:
-
Vce Насыщение (макс.) @ Ib, Ic:
150mV @ 500μA, 10mA
Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.):
50 В
Пакет изделий поставщика:
6-TSSOP
Резистор - основа (R1):
10кОм
Мфр:
Nexperia USA Inc.
Резистор - база излучателя (R2):
10кОм
Ток - предел коллектора (макс.):
1µA
Мощность - Макс:
300 мВт
Пакет / чемодан:
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Увеличение тока постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce:
30 @ 5mA, 5В
Номер базовой продукции:
PUMD3
Введение
Пре-пристрастный двухполярный транзистор (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Пре-пристрастный (двойной) держатель 6-TSSOP 50V 100mA 300mW поверхностный
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: