ПУМХ10,115
производитель:
Нексперия США Инк.
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
Биполярный (BJT)
Биполярные транзисторные массивы,
Ток - коллектор (Ic) (макс.):
100 мА
Статус продукта:
Активный
Тип транзистора:
2 NPN - предвзятое (двойное)
Частота - переходный период:
-
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Пакет:
Лента и катушка (TR)
Режущая лента (КТ)
Digi-Reel®
Серия:
-
Vce Насыщение (макс.) @ Ib, Ic:
100mV @ 250μA, 5mA
Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.):
50 В
Пакет изделий поставщика:
6-TSSOP
Резистор - основа (R1):
20,2 кОм
Мфр:
Nexperia USA Inc.
Резистор - база излучателя (R2):
47 кОмм
Ток - предел коллектора (макс.):
1µA
Мощность - Макс:
300 мВт
Пакет / чемодан:
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Увеличение тока постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce:
100 @ 10mA, 5В
Номер базовой продукции:
PUMH10
Введение
Предварительно предвзятый биполярный транзистор (BJT) 2 NPN - предварительно предвзятый (двойной) 50V 100mA 300mW поверхностный монтаж 6-TSSOP
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: