MMUN2211LT1G
производитель:
ОНСЕМИ
Описание:
Транс Пребиас NPN 50V SOT23-3
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
Биполярный (BJT)
Одиночные биполярные транзисторы с
Ток - коллектор (Ic) (макс.):
100 МА
Статус продукта:
Активный
Тип транзистора:
NPN - Пре-пристрастное
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Пакет:
Лента и катушка (TR)
Режущая лента (КТ)
Digi-Reel®
Серия:
-
Vce Насыщение (макс.) @ Ib, Ic:
250mV @ 300μA, 10mA
Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.):
50 В
Пакет изделий поставщика:
SOT-23-3 (TO-236)
Резистор - основа (R1):
10 kOhms
Мфр:
на полу
Резистор - база излучателя (R2):
10 kOhms
Ток - предел коллектора (макс.):
500nA
Мощность - Макс:
246 mW
Пакет / чемодан:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Увеличение тока постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce:
35 @ 5mA, 10В
Номер базовой продукции:
MMUN2211
Введение
Предварительно предвзятый биполярный транзистор (BJT) NPN - предварительно предвзятый 50 V 100 mA 246 mW Поверхностный монтаж SOT-23-3 (TO-236)
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: