Отправить сообщение

DTC144EMT2L

производитель:
Полупроводники Rohm
Описание:
Транс Пребиас НПН 150 МВт VMT3
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы Биполярный (BJT) Одиночные биполярные транзисторы с
Ток - коллектор (Ic) (макс.):
30 мА
Статус продукта:
Активный
Тип транзистора:
NPN - Пре-пристрастное
Частота - переходный период:
250 МГц
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Пакет:
Лента и катушка (TR) Режущая лента (КТ) Digi-Reel®
Серия:
-
Vce Насыщение (макс.) @ Ib, Ic:
300mV @ 500µA, 10mA
Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.):
50 В
Пакет изделий поставщика:
VMT3
Резистор - основа (R1):
47 kOhms
Мфр:
ROHM полупроводник
Резистор - база излучателя (R2):
47 kOhms
Ток - предел коллектора (макс.):
500nA
Мощность - Макс:
150 mW
Пакет / чемодан:
СОТ-723
Увеличение тока постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce:
68 @ 5mA, 5В
Номер базовой продукции:
DTC144
Введение
Предварительно предвзятый биполярный транзистор (BJT) NPN - предварительно предвзятый 50 V 30 mA 250 MHz 150 mW Поверхностная установка VMT3
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: