DTB113ZKT146
производитель:
Полупроводники Rohm
Описание:
Транс Пребиас ПНП 200 МВт SMT3
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
Биполярный (BJT)
Одиночные биполярные транзисторы с
Ток - коллектор (Ic) (макс.):
500 мам
Статус продукта:
Активный
Тип транзистора:
ПНП - предвзятое
Частота - переходный период:
200 МГц
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Пакет:
Лента и катушка (TR)
Режущая лента (КТ)
Digi-Reel®
Серия:
-
Vce Насыщение (макс.) @ Ib, Ic:
300mV @ 2.5mA, 50mA
Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.):
50 В
Пакет изделий поставщика:
SMT3
Резистор - основа (R1):
kOhms 1
Мфр:
ROHM полупроводник
Резистор - база излучателя (R2):
10 kOhms
Ток - предел коллектора (макс.):
500nA
Мощность - Макс:
200 мВт
Пакет / чемодан:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Увеличение тока постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce:
56 @ 50mA, 5В
Номер базовой продукции:
DTB113
Введение
Предварительно предвзятый биполярный транзистор (BJT) PNP - Предварительно предвзятый 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW Поверхностный монтаж SMT3
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ: