Полупроводники Samsung
- Введение
- Новые изделия
Введение
Полупроводники Samsung
Новые изделия
| Изображение | часть # | Описание | производитель | Запас | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
K9F4G08U0B-PCB0 |
512M x 8 бит / 1G x 8 бит NAND Флэш-память
|
|
|
|
|
|
|
K4S641632K-UC60 |
64 Мб SDRAM
|
|
|
|
|
|
|
K9F2G08U0D-SCB0 |
256M x 8 битная флеш-память NAND
|
|
|
|
|
|
|
K9K8G08U0A-PIB0 |
1G x 8 Битов / 2G x 8 Битов NAND Флэш-память
|
|
|
|
|
|
|
KLUEG8U1EM-B0B1 |
Карта памяти
|
|
|
|
|
|
|
K4B2G1646F-BCK0 |
96FBGA без свинца и галогена
|
|
|
|
|
|
|
K4H511638J-LCCC |
Спецификация 512Mb C-die DDR SDRAM
|
|
|
|
|
|
|
K9F1G08U0E-SCB0 |
1 Гб E-die NAND Flash
|
|
|
|
|
|
|
K4W1G1646E-HC12 |
Графическая память
|
|
|
|
|
|
|
K4T1G084QF-BCF7 |
1 ГБ F-die DDR2 SDRAM
|
|
|
|
|
|
|
K4B4G1646D-BCMA |
4Gb B-плашка DDR3 SDRAM Olny x16
|
|
|
|
|
|
|
K9F5608U0D-PCB0 |
32M x 8 Битовая NAND Флэш-память
|
|
|
|
|
|
|
K4A8G085WB-BCPB |
8 Гб B-die DDR4 SDRAM
|
|
|
|
|
|
|
K4A8G165WC-BCTD |
8 Гб B-die DDR4 SDRAM x16
|
|
|
|
|
|
|
K4B4G0846Q-HYK0 |
Спецификация DDP 4Gb B-die DDR3 SDRAM
|
|
|
|
|
|
|
K4T1G164QE-HCE7 |
1 Гб E-die DDR2 SDRAM 60FBGA/84FBGA без свинца и галогена (соответствует требованиям RoHS)
|
|
|
|
|
|
|
K9GAG08U0E-SCB0 |
16 ГБ E-Die NAND Flash
|
|
|
|
|
|
|
K4G20325FD-FC03 |
Графическая память
|
|
|
|
|
|
|
K4G41325FE-HC28 |
Графическая память
|
|
|
|
|
|
|
K4E6E304EE-EGCF |
Карта памяти
|
|
|
|
|
|
|
K4B1G1646G-BCH9 |
Спецификация SDRAM D-die DDR3 1Gb
|
|
|
|
|
|
|
K4G80325FB-HC25 |
Графическая память
|
|
|
|
|
|
|
K4S561632H-UC75 |
Руководство по продуктам SDRAM
|
|
|
|
|
|
|
K4S511632D-UC75 |
DDP 512Mbit SDRAM 8M x 16bit x 4 Banks Синхронная DRAM LVTTL
|
|
|
|
|
|
|
K4T1G164QE-HCF8 |
1 Гб E-die DDR2 SDRAM
|
|
|
|
|
|
|
K9F1G08U0B-PCB0 |
128M x 8 флэш-памятей NAND бита бита/256M x 8
|
|
|
|
|
|
|
K9F5608U0D-PIB0 |
32M x 8 Битовая NAND Флэш-память
|
|
|
|
|
|
|
K4S561632N-LC75 |
|
|
|
|
|
|
|
K9F1G08U0D-SCB0 |
128M x 8 флэш-памятей NAND бита бита/256M x 8
|
|
|
|
|
|
|
K9WBG08U1M-PIB0 |
|
|
|
|